浙江大學高分子系伍廣朋研究員和徐志康教授研發團隊結合前期嵌段共聚物的合成經驗，并與美國阿貢國家實驗室和芝加哥大學的Nealey 教授合作，成功開發出了滿足下一代集成電路和存儲器節點要求的苯乙烯-碳酸丙烯酯嵌段共聚物(PS-b-PPC，圖2)。新開發的聚碳酸酯基嵌段共聚物的相互作用參數是苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚物的兩倍之多(χ=0.079, 150 ℃)，更為重要的是該嵌段共聚物可以利用工業界青睞的熱退火工藝在化學圖案上快速實現無缺陷的定向組裝，半節距達到了 8.4 nm，完美兼容目前主流的半導體光刻流程，適用于下一代< 10 nm節點處理器的工藝制作。另外，組裝后的高分辨率納米結構可以高保真的轉移至半導體硅基底上，進而實現集成電路和存儲器的后期加工。